Ученые давно пытаются создать «универсальную» компьютерную память, которая сочетала бы в себе положительные стороны ОЗУ и энергонезависимых носителей информации. К числу таких технологий относится ферроэлектрическая память (FeRAM), чьей основой являются кристаллы или пленки из оксидов металлов, способные «запоминать» некоторые характеристики проходящего через них тока.

Группа физиков под руководством Давея Фу (Da-Wei Fu) из Юго-Восточного университета в Нанкине (Китай) разработала органическую замену для таких кристаллов, экспериментируя с веществом DIPAB (бромид ди-изопропила аммония), представляющее собой соединение брома, аммиака и углеводорода изопропана.

Фу и его коллеги обнаружили, что молекулы этого соединения можно превратить в кристаллы, обладающие ферроэлектрическими свойствами, растворив DIPAB в воде и выпарив раствор. В результате этого ученые получили небольшое количество кристаллов, обладающих ферроэлектрическими свойствами при широком диапазоне температур — от минус 196 градусов и до 230 градусов Цельсия.

Убедившись в наличии свойств, необходимых для работы ферроэлектрической памяти, ученые сравнили свойства новой формы DIPAB с «классическим» компонентом FeRAM — титанатом бария (BaTiO3). По их словам, органические кристаллы выступили на достойном уровне, продемонстрировав сопоставимый уровень производительности при вдвое меньшем энергопотреблении.

Как считают Фу и его коллеги, DIPAB может использоваться в качестве дешевой и экологически чистой замены титаната бария в бюджетных чипах памяти, а также в качестве основы для микроэлектроники в медицинских приборах, где использование металла нежелательно или невозможно.