Институт микроэлектроники Академии наук КНР (IMECAS) отрапортовал об очередных достижениях в разработке методик производства электронных микрочипов.

В Китае разработан полевой транзистор, ширина затвора которого равна 22 нанометрам. При этом предполагается применение технологии HKMG, которая основана на использовании диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k) и транзисторов с металлическими затворами (metal gate).

В IMECAS отмечают, что достижение открывает путь к созданию микросхем с быстродействием «мирового класса и низкой рассеиваемой мощностью». В перспективе разработка позволит КНР уменьшить зависимость от иностранных производителей чипов, а также снизить стоимость изготовления электронных устройств. О сроках внедрения технологии не сообщается.

Напомним, что 22-нанометровую методику при выпуске компьютерных процессоров сейчас применяет корпорация Intel. А Samsung готовится к внедрению 14-нанометровой технологии изготовления «систем на чипе» по передовой методике FinFET (Double-Gate Field-Effect Transistors), которая предусматривает применение транзисторов с трёхмерной структурой.

Подготовлено по материалам IMECAS.